HBM4 Brings a New Era: Custom Dies & Future Roadmap
High‑Bandwidth Memory (HBM) hat die Speicherlandschaft revolutioniert, indem es mehrere Speicher‑Stacks auf einer einzigen Bauplatte stapelt. Der Herstellungsprozess nutzt 3‑D‑IC‑Technologie, die eine hohe Bandbreite bei geringer Stromaufnahme ermöglicht.
Vendors wie Samsung, SK Hynix und Micron konkurrieren um die besten Fertigungslinien, während neue Konzepte wie KVCache‑Offload und disaggregated prefill‑Decode die Effizienz weiter steigern. Diese Ansätze reduzieren Latenz und erhöhen die Datenrate, indem sie Speicherzugriffe intelligent verteilen.
Der nächste große Schritt ist HBM4, das auf maßgeschneiderten Basis‑Dies basiert. Diese Custom‑Dies erlauben höhere Dichten und verbesserte thermische Eigenschaften, was besonders für KI‑ und HPC‑Anwendungen von Vorteil ist. Gleichzeitig wird die Architektur für höhere Ränge und breitere EP‑Kanäle ausgeweitet, um die steigenden Bandbreitenanforderungen zu erfüllen.
Kurz gesagt: HBM4 markiert einen Wendepunkt in der Speichertechnologie, indem es die Grenzen von Dichte, Leistung und Energieeffizienz neu definiert.
(Quelle: SemiAnalysis)
